Samsung tocmai a anuntat ca va lansa un SSD (solid state drive) de 512 GB, bazat pe memorie DDR NAND flash de inalta performanta. In interiorul sau veti gasi un chip de 30 nm si 32 gigabiti, care a intrat in productie in luna noiembrie a anului trecut si poate opera fie la 3.3 V, fie la 1.8 V.

Publicitate

Practic, SSD-ul va atinge o performanta ridicata, fara a consuma mai mult decat predecesorii sai, bazati pe NAND-uri de 16 gigabiti. Noul drive atinge o viteza de citire secventiala de 250 MB pe secunda si o viteza de scriere secventiala de 220 MB pe secunda, operand in tandem cu o interfata SATA II.

Samsung spera ca produsele sale sa fie folosite pe notebook-uri high-end, de indata ce ele vor intra in productie.

[via Ubergizmo]